2024年大批日本和海外半导体企业在日本新建晶圆工厂投入运营，推动日本半导体产业链升级和芯片制造技术提升。

台积电

在熊本县菊阳町，台积电、索尼和日本电装联合开发了一个12英寸晶圆加工基地，该基地应用12nm、16nm和22nm至28nm技术，预计月底建成。此外，其量产时间已定为2024年第四期。据悉，此举将推动日本逻辑IC工艺技術大幅度提升，由瑞萨电子的40nm攀升到JASM的12nm，成为日本半导体振兴战略重要一环。而日本政府已投入4760亿日元作为补助，占总体划拨的86%。

铠侠和西部数据

铠侠（Kioxia）和西部数据计划在三重县四日市建立一处12英寸合资工厂，预计明年3月开始生产3D NAND产品。具体投资金额为2800亿日元，其中日本政府出资929亿日元。此外，位于岩手县北上的另一座厂也将于今年末开业，原本计划于2023年内完成，然而因市场影响被延迟。

瑞萨电子

瑞萨电子预计明年引进新的功率半导体生产线，MACOM射频微波IC芯片 以应对电动车增长所需。他们决定在现有的山梨县甲府厂房基础上增加一条12英寸硅片生产线，投入资金高达900亿日元。同时，这新型生产线将助力瑞萨电子提升IGBT和MOSFET等功率半导体产能，预计2024年实现量产，该举措得到了日本经济产业省的支持。

东芝和罗姆

东芝在石川县能美市的新工厂预计明年3月完工并装配12英寸硅功率半导体晶圆制造线。该厂与罗姆在宫崎县国富市新开发的SiC功率半导体工厂进行生产整合，预计获得政府资助，数额相等于项目总投资的三分之一。罗姆新厂将采用8英寸SiC晶圆技术，新建厂投产后部分工程仍需持续进行。

2025年后的日本晶圆厂计划

展望未来，美光科技将于2025年在广岛县兴建生产1-gamma （1γ） DRAM的新型工厂；晶圆生产商JSMC与日本金融机构SBI合作，目标在2027年部分完成后实现大规模量产；日本睿普尔也计划于同一时期实现2nm芯片规模生产。而台积电正在重点考虑选址熊本县再建新厂，相关决策可能在2月6日后公布。

台积电董事长刘德音1月18日谈到在日本的第二座工厂时说，还在评估阶段，正在日本政府进行讨论。一旦决定兴建二厂，预计将生产7nm到16nm制程的产品。

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